질문 1: 사이리스터의 게이트 전극은 무엇인가요? 사이리스터의 게이트 전극은 사이리스터를 차단 상태에서 전도 상태로 제어하는 데 사용되는 제어 전극(G)입니다.
질문 2: 클래스 A 보안 문은 무엇을 의미합니까? 클래스 A 보안 문은 도난에 대한 최고 수준의 보안을 의미합니다.
전체 이름은 도난 방지 안전 도어입니다. 최신 국가 표준 "도난 방지 안전 도어에 대한 일반 기술 조건"에서는 도난 방지 도어의 도난 방지 수준을 4가지 수준으로 나눕니다. A, B, C, D.
질문 3: 문지기의 컬러 사진은 무엇인가요? 예!
질문 4: 전력 장치의 게이트와 게이트의 차이점은 무엇입니까? 다이오드는 제어 가능하지 않으며 게이트 턴오프 사이리스터는 나머지 전력 트랜지스터, 전력입니다. 전계 효과 트랜지스터 및 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 완전히 제어되는 장치입니다. 전력 다이오드는 단극 장치이고 전력 트랜지스터는 양극 장치이며 전력 전계 효과 튜브 및 절연 게이트 양극 트랜지스터는 복합 전력 전자 장치입니다. 제어 가능한 장치 중 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터는 가장 큰 용량을 가지며 전압 구동형은 전력 전계 효과 트랜지스터, 전류 구동형은 전력 트랜지스터입니다.
질문 5: 게이트 전압이란 무엇입니까? 일반적으로 사이리스터 제어 전극의 트리거 전압을 게이트 전압이라고 합니다. 사양이 다른 사이리스터는 게이트 전압이 다릅니다. 일반적으로 5V 부근에서는 전력이 작을수록 전류도 작아집니다.
질문 6: DC 전송에서 "게이트 잠금"은 무엇을 의미합니까? 긴급 지침을 제공하십시오! ! ! ! 5점은 반전 중 회로 차단을 나타냅니다. 이는 홀 효과 요소를 통해 달성할 수 있습니다.
질문 7: 인버터의 게이트 수준 개방이 무엇을 의미합니까? 질문이 명확하지 않습니다. 인버터 내부의 전원 장치 IGBT의 게이트 레벨에 대해 이야기하고 있는 것 같습니다. IGBT는 전자식 전원 스위치입니다. 게이트(스테이지 아님)(G 극)에 순방향 턴온 전압(보통 12V---17V)을 더한 것입니다. (예) IGBT가 켜져 있습니다. 전압이 0이면 IGBT가 꺼집니다. IGBT를 안정적으로 끄려면 IGBT 게이트에 역전압(보통 -5V)을 추가해야 합니다.
즉, 17V를 추가하고 켜는 것입니다. -5V를 추가하고 끄십시오.
또 다른 상황이 있을 수 있습니다. 즉, 일부 인버터에는 안전 기능이 있으며, 안전 상태에서는 인버터의 IGBT에 대한 게이트 턴온 구동 전압이 없습니다. 이는 인버터가 이상으로 인해 인버터에 의해 구동되는 모터를 작동시키지 않도록 하는 것이며 이는 프레스와 같은 특정 장비에 매우 중요합니다. 인버터를 작동하려면, 인버터의 잘못된 시동으로 인해 장비가 시동되지 않도록 외부 스위치를 닫아 IGBT 구동 회로에 전원을 공급해야 합니다.
질문 8: N형 게이트 사이리스터와 P형 게이트 사이리스터의 차이점은 무엇입니까? 20점 N형 게이트 사이리스터와 P형 게이트 사이리스터의 차이점은 다음과 같습니다.
N형 게이트 사이리스터의 게이트는 사이리스터의 두 번째 N형 반도체층에서 파생되며 게이트는 P형 게이트 사이리스터는 사이리스터의 세 번째 P형 반도체층에서 파생됩니다. 반대 펄스는 두 개를 켜는 데 사용되며, 반대 펄스는 둘을 끄는 데 사용됩니다.
사이리스터(Thyristor)는 사이리스터(thyristor)의 약어로, 실리콘 제어 정류기라고도 합니다. 이전에는 실리콘 제어 정류기라고 했습니다. 사이리스터는 PNPN 4층 반도체 구조로 양극, 음극, 게이트의 3개 극을 가지고 있으며, 실리콘 정류기 소자의 특성을 갖고 있으며, 고전압 및 대전류 조건에서 작동할 수 있어 널리 사용됩니다. 제어 가능한 정류, AC 전압 조정, 비접촉식 전자 스위치, 인버터 및 주파수 변환과 같은 전자 회로에 사용됩니다.
게이트 사이리스터(Gate thyristor)는 게이트 턴오프 사이리스터(Gate Turn-Off thyristor)의 약자로 사이리스터의 파생형이다. 그러나 게이트를 통해 펄스 전류를 인가하여 게이트를 끌 수 있으며 이는 완전히 제어되는 장치입니다.
P형 게이트 사이리스터는 P형 게이트의 전위가 특정 양의 전압 V0에 도달하면 사이리스터가 켜지고 이 전위 V0보다 낮을 때 사이리스터가 꺼집니다.
N형 게이트 사이리스터는 N 게이트의 전위가 특정 양의 전압 V0보다 낮을 때 사이리스터가 켜지고 이 전위 V0보다 높을 때 사이리스터가 꺼집니다.
전자반도체라고도 불리는 N형 반도체. N형 반도체는 정공의 농도보다 자유전자의 농도가 훨씬 더 큰 불순물 반도체이다.
P형 반도체, 홀형 반도체라고도 합니다. P형 반도체는 정공 농도가 자유 전자 농도보다 훨씬 큰 불순물 반도체이다.
질문 9: 단방향 사이리스터의 VRGM 매개변수 - 역방향 피크 게이트 전압이 5V라는 것은 무엇을 의미합니까? 사이리스터의 역방향 피크 게이트 전압은 게이트에 나타나는 최대 순간 전압을 나타냅니다. 직류 전압의 값.
질문 10: 반도체 IGBT의 게이트 저항은 정확히 무엇인가요? 저항은 어디에 있나요? 구체적이고 자세하게 설명하세요. . 20점 게이트는 커패시터와 직렬로 연결된 저항과 동일합니다.
게이트 속도는 이 저항기와 커패시터의 성능 상수입니다. 너무 크면 주파수를 높일 수 없습니다.