문턱전압 입력전압의 변화에 따라 출력전류도 급격하게 변하는 전달특성곡선에서 회전영역의 중간점에 해당하는 입력전압을 문턱전압이라 한다.
다양한 기기를 설명할 때 다양한 매개변수를 사용하세요. 전계 방출의 특성을 설명할 때 전류가 10mA에 도달할 때의 전압을 문턱 전압이라고 합니다.
예를 들어 MOS 튜브의 경우 장치가 공핍에서 반전으로 전환되면 Si 표면의 전자 농도가 정공 농도와 동일한 상태를 거치게 됩니다. 이때 소자는 임계 전도 상태에 있으며 소자의 게이트 전압은 MOSFET의 중요한 매개 변수 중 하나인 문턱 전압으로 정의됩니다.
MOS 튜브의 임계 전압은 백 게이트와 소스가 함께 연결될 때 채널을 형성하는 데 필요한 게이트-소스 바이어스 전압과 같습니다. 게이트-소스 바이어스 전압이 임계 전압보다 낮으면 채널이 없습니다.
확장 정보
바이어스 전압은 트랜지스터가 인가될 때 트랜지스터 증폭기 회로의 베이스와 이미터 사이, 컬렉터와 베이스 사이에 설정되어야 하는 전압을 의미합니다. 증폭된 상태. 트랜지스터가 증폭된 상태가 되려면 베이스와 이미터 사이의 pn 접합이 순방향 바이어스되어야 하고, 컬렉터와 베이스 사이의 pn 접합이 역방향 바이어스되어야 합니다.
따라서 베이스- 트랜지스터의 에미터 접합이 순방향 바이어스로 설정되는데, 베이스 접합을 역방향 바이어스로 설정하고 트랜지스터가 증폭된 상태에서 작동하도록 하는 회로를 줄여서 바이어스 회로라고 합니다. DC 바이어스 전압은 트랜지스터가 증폭된 상태에 있을 때 트랜지스터 증폭 회로의 베이스와 이미터 사이, 컬렉터와 베이스 사이에 설정되어야 하는 전압을 나타냅니다.
참조: 바이두 백과사전 - 임계값 전압
참조: 바이두 백과사전 - 바이어스 전압